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  • 型号: BSZ042N04NS G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ042N04NS G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ042N04NS G价格参考。InfineonBSZ042N04NS G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ042N04NS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ042N04NS G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ042N04NS GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSZ042N04NSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c47d8f88084b

产品型号

BSZ042N04NS G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3.4 ns

下降时间

4.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 36µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3700pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 20A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

其它名称

BSZ042N04NSG
BSZ042N04NSGATMA1
BSZ042N04NSGINTR
BSZ042N04NSGXT
SP000388300

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

69W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

TSDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

BSZ042N04

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSZ042N04NSGATMA1 SP000388300

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